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    砷化鎵基片

    砷化鎵基片

    砷化鎵基片

    原晶電子科技有限公司專業生產定制高質量砷化鎵襯底片GaAs wafer、多晶棒。尺寸 2"     3"    4"      6"  , 晶向(100)(111),類型:N- type 摻Si, P- type 摻Zn,半絕緣Undope 。

    -------   我司專業提供“激光領域” 用高質量 110um厚雙拋GaAs      ------

    ---------更可以提供EPD<500  、 <300  、<100、<50 的高質量LD級外延用GaAs ----

    常規產品規格請參考下表

    ParameterGuaranteed / Actual ValuesUOM
    Growth Method:VGF
    Conduct Type:S-I-N
    Dopant:Undoped
    Diameter:50.7± 0.1mm
    Orientation:(100)± 0.50
    OF location/length:EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1
    IF location/length:EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1
    Resistivity:Min: 1.0 E8Max: 2.2 E8?·cm
    Mobility:Min: 4500Max: 5482cm2/v.s
    EPD:Min: 700Max: 800/ cm2
    Thickness:350± 20μm
    Edge Rounding:0.25mmR
    Laser Marking:N/A
    TTV/TIR:Max: 10μm
    BOW:Max: 10μm
    Warp:Max: 10μm
    Partical  Count:<50/wafer(for particle>0.3um)
    Surface Finish– front:Polished
    Surface Finish –back:Etched
    Epi-Ready:

    Yes


    ParameterGuaranteed / Actual ValuesUOM
    Growth Method:VGF
    Conduct Type:S-I-N
    Dopant:Undoped
    Diameter:76.2± 0.2mm
    Orientation:(100) 00± 0.50
    OF location/length:EJ [ 0-1-1]± 0.50/22±2
    IF location/length:EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/11±2
    Resistivity:Min: 1E8Max: 1.03E8?·cm
    Mobility:Min: 5613Max: 6000cm2/v.s
    EPD:Min: 700Max: 800Max:
    Thickness:625±20μm
    Edge Rounding:0.375mmR
    Laser Marking:N/A
    TTV:N/Aμm
    Surface Finish– front:Polished
    Surface Finish –back:Etched
    Epi-Ready:

    Yes


    ParameterGuaranteed / Actual ValuesUOM
    Growth Method:VGF
    Conduct Type:S-I-N
    Dopant:Undoped
    Diameter:100.0± 0.2mm
    Orientation:(100)± 0.30
    OF location/length:EJ [ 0-1-1]± 0.50/32.5±1
    IF location/length:EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/18±1
    Resistivity:Min: 1.5 E8Max: 2.0 E8?·cm
    Mobility:Min: 4832Max: 4979cm2/v.s
    EPD:Min: 600Max: 700/ cm2
    Thickness:625± 25μm
    Edge Rounding:0.375mmR
    TTV/TIR:Max: 3μm
    BOW:Max: 4μm
    Warp:Max: 5μm
    Partical  Count:<100/wafer(for particle>0.3um)
    Surface Finish– front:Polished
    Surface Finish –back:Polished
    Epi-Ready:

    Yes

    ParameterCustomer’s RequirementsGuaranteed / Actual ValuesUOM
    Growth Method:VGFVGF
    Conduct Type:S-C-PS-C-P
    Dopant:GaAs-ZnGaAs-Zn
    Diameter:50.8± 0.450.8± 0.4mm
    Orientation:(100)± 0.50(100)± 0.50
    OF location/length:EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1
    IF location/length:EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1
    Ingot CC:Min: 1 E19Max: 5 E19Min: 1.4 E19Max: 1.9 E19/cm3
    Resistivity:Min: N/AMax: N/AMin: N/AMax: N/A?·cm
    Mobility:Min: N/AMax: N/AMin: N/AMax: N/Acm2/v.s
    EPD:Max: 5000Min: 600Max: 700/ cm2
    Thickness:350±25350±25μm
    Surface Finish– front:PolishedPolished
    Surface Finish –back:EtchedEtched
    Epi-Ready:YesYes
    上一條:砷化鎵基片
    下一條:沒有了
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