鍺片
鍺作為一種稀有金屬，具備多方面的特殊性質：化學穩定性好、耐腐蝕強、易加工，高而均勻的透過率和高折射率，高抗輻射、高頻、光電性能好。
在半導體工業 、 航空航天工業，高頻超高頻電子、光纖通訊、電子器件、PET 催化劑、紅外光學、太陽能電池、化學催化劑、生物醫學等領域都有廣泛而重要的應用。
原晶電子科技有限公司供應2-6英寸鍺片，厚度150um+，導電類型：N型、P型、非摻。
典型規格見下表：
Semi-conducting Ge Specifications
| Growth Method | VGF |
| Dopant | n-type: As; p-type: Ga |
| Wafer Shape | Round (DIA: 2" 4" 6") |
| Surface Orientation | (100)±0.5° |
Other Orientations maybe available upon request
| Dopant | As (n-type) | Ga (p-type) |
| Resistivity (?.cm) | 0.05-0.25 | 0.005-0.04 |
| Etch Pitch Density (cm2) | ≤ 300 | ≤ 300 |
| Wafer Diameter (mm) | 50.8±0.3 | 100±0.3 |
| Thickness (μm) | 175±25 | 175±25 |
| TTV [P/P] (μm) | ≤ 15 | |
| WARP (μm) | ≤ 25 | ≤ 25 |
| IF* (mm) | 17±1 | 32.5±1 |
| OF (mm) | 7±1 | 18±1 |
| Polish | E/E, P/E, P/G | E/E, P/E, P/G |
| Backside Ra (μm) | < 0.1 | < 0.1 |
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