SOI硅片
絕緣襯底上硅片(SOI Wafer): 主要應用于MEMS和先進CMOS集成電路擴散制程。 SOI硅片SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路中器件的介質隔離，徹底消除了硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優勢。
SOI硅片有三層材料堆濺組成：頂層產品層(Device Layer)，中間絕緣層(BOX Layer) 以及底部襯底層(Handle Layer)。
SOI硅片通常都是獨特規格，用于制造出不同的終端應用產品。新美光提供100mm, 150mm, 200mm等各類尺寸和不同規格的SOI硅片。
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